作者：admin 發布時間：2021-08-30 瀏覽次數：0
“各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。
”各行業所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID今日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創新與產業聯盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰略合作協議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發，充分發揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優勢，并推動其在眾多領域實現廣泛應用。
近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統硅器件。然而，在各類應用中為充分發揮寬禁帶功率模塊的優勢，需要驅動器在耐高溫、可靠性和保護機制等方面提供充分支持。CISSOID公司是來自比利時的高溫半導體解決方案****廠商，擁有在航空航天、石油、汽車等多個要求嚴苛的領域驗證過的、應用超過10年的驅動器產品，這些驅動器產品具有耐高溫、高可靠性、高魯棒性等特性，可以助力寬禁帶半導體功率模塊在各類系統應用中充分發揮其性能優勢。
國芯科技是由中車時代電氣聯合長安汽車、南方電網、格力電器、中環股份等8家企業共同出資成立的集研發、檢測、技術服務于一體的高新企業，主要開展******IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率RF，以及SiC、GaN等寬禁帶功率半導體材料、器件及技術的研究開發。國芯科技攜手中國IGBT技術創新與產業聯盟成立了功率半導體創新中心，旨在開展功率半導體產業共性技術研發、相關產品開發、科技成果轉移擴散、技術孵化和商業化應用等工作，并提供設計、檢測等技術服務，進行人才培養和國際交流合作。目前，該創新中心已正式獲批成為湖南省制造業創新中心，正致力于建設升級為******制造業創新中心，打造成中國功率半導體產業生態聚集圈。
“作為******功率半導體技術的代表，寬禁帶半導體器件具有非凡的性能優勢，已在諸多領域得到應用。特別是目前新能源汽車在全球各地的快速發展，進一步推動寬禁帶功率器件的市場規模不斷擴大。國芯科技作為一家密切關注寬禁帶半導體發展的公司，在寬禁帶半導體材料、技術及器件的研發方面投入了大量精力，并專門成立了功率半導體創新中心。”國芯科技總經理戴小平先生表示。“很高興可以與CISSOID公司簽署戰略合作協議，CISSOID公司多年來在高溫驅動器和高溫封裝方面的技術可以助力寬禁帶功率模塊在系統級上實現耐高溫、高能量密度，同時可極大地提高電控系統的可靠性。我們將與CISSOID公司合作研發寬禁帶功率技術、模塊及系統應用，進而推動寬禁帶半導體技術在中國加速發展。”
“中車時代電氣、長安汽車、南方電網、格力電器、中環股份都是中國****的企業，他們共同出資成立國芯科技的目標之一就是推動寬禁帶半導體技術向前發展。CISSOID十分期待此次與國芯科技的合作可以將寬禁帶功率模塊的效率及性能推向新高。我們將利用自己久經驗證、享譽業界的高溫驅動芯片和高溫封裝設計團隊為本次研發合作提供大力支持。”CISSOID首席執行官Dave Hutton先生表示。“CISSOID長期以來對中國市場保持高度關注，且十分注重與中國半導體產業的融合發展。目前，我們已經融入來自中國的投資，并在芯片制造、封裝測試等方面，開始與中國公司進行廣泛的合作。此次CISSOID與中國****企業共同研究開發寬禁帶半導體功率器件，則進一步體現了我們希望廣泛融入中國半導體產業生態的戰略及加快推動中國寬禁帶半導體技術發展的決心。”
隨著新能源汽車等新興領域的蓬勃發展，寬禁帶半導體功率器件得到了越來越多的重視并逐漸普及。同時，根據市場研究公司Yole Development 的報告，功率半導體的平均結溫一直在不斷上升，并將在近幾年內很快達到并超過175℃。因此，通過耐高溫驅動器為寬禁帶功率器件提供良好配合顯得非常重要。此次CISSOID公司和國芯科技開展合作，將充分發揮各自的優勢并形成強大合力，利用業界****的耐高溫驅動器件為寬禁帶功率器件提供支持，將高質量的寬禁帶功率模塊和解決方案推向市場，進而助力新能源汽車、軌道交通、智能電網、智能家電等領域實現更快發展。
